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    二极管是一种具有特殊电性能的半导体器件，其特性主要包括以下几个方面：单向导通特性：二极管只允许电流从它的正极流向负极，而不能反向流动。这是二极管基本的特性，也是它在电路中得以广泛应用的基础。当给二极管加上正向电压时，二极管可以处于导通状态，允许电流通过；而当加上反向电压时，二极管则处于截止状态，阻止电流通过。导通后管压降基本不变特性：二极管在正向导通后，其两端的电压（正向压降）基本保持不变。对于硅二极管，这一管压降通常是；而对于锗二极管，正向压降约为。这种特性使得二极管在稳压电路中有着重要应用。温度特性：二极管的PN结导通后的压降并非一直不变，而是会随着温度的升高而略有下降。这一特性使得二极管在构成温度补偿电路时非常有用。正向电阻可变特性：二极管导通后，其正向电阻会随着电流的变化而微小改变。正向电流越大，正向电阻越小；反之则大。 二极管作为电子元件的基石，在电路中发挥着整流和开关的重要作用。SMC50J48A

    当二极管正向偏置时，即P区接正极，N区接负极，外部电场与PN结内建电场方向相反。此时，PN结变窄，多数载流子扩散运动增强，形成较大的扩散电流，即正向电流。二极管导通，电阻很小，相当于一根导线。反之，当二极管反向偏置时，PN结变宽，多数载流子扩散运动被抑制，反向电流很小，二极管截止。这种特性使得二极管在电路中可以作为整流、检波、稳压等应用的关键元件。在现代电子电路中，二极管的应用非常普遍。例如，在电源电路中，二极管可以将交流电转换为直流电；在信号处理电路中，二极管可以检波或调制信号；在保护电路中，二极管可以防止电流反向流动，保护其他电子元件不受损坏。BTS436-L2二极管在半导体技术中占据重要地位，推动科技发展。

    二极管PN结单向导电性：在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。主要分类：点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用[5]。面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路中使用[5]。平面型二极管平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小，用于大功率整流时PN结面积较大[5]。稳压管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压的作用。稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小，能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的。

    二极管在电子电路的作用有：限幅：二极管正向导通后，其正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，二极管可以作为限幅元件，在电路中把信号幅度限制在一定范围内，保护后续电路免受过大信号的损害。续流：在开关电源的电感中和继电器等感性负载中，二极管可以起到续流的作用，保证电路的稳定工作。在感性负载中，当开关断开时，由于电感的作用，电流不会立即消失，此时二极管可以提供一个通路，使得电流逐渐减小，防止电感产生过高的反电动势。检波：在收音机中，二极管起到检波的作用，将无线电信号转换为音频信号。检波是收音机接收信号的重要步骤，使得人们可以听到广播内容。二极管具有单向导电性，它只允许电流从正极流向负极。

    要理解二极管的工作原理，必须从二极管的结构说起。晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。二极管还可用于稳压电路中，保持输出电压的稳定。STF20N95K5

二极管在电路中能够稳定电压，防止电压波动对设备造成损害。SMC50J48A

    二极管特性参数：反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被**破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。 SMC50J48A