半导体闸阀三星半导体

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，控制系统闸阀，控制闸阀、控制系统插板阀、控制系统闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，可以在高真空环境中实现精确的压力控制。如半导体等高真空工艺应用。控制系统闸阀是自动控制到用户指定的值，通过控制器和步进电机保持一致的真空压力。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。闸阀的结构紧凑，阀门刚性好，通道流畅，流阻数小，密封面采用不锈钢和硬质合金，使用寿命长。半导体闸阀三星半导体

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀Heating gate valve，加热插板阀，加热闸阀，加热器的加热温度为180-200度（可通过控制器设置温度）-规格：适用双金属（达到200度时，断电后温度下降后重新启动），应用于去除粉末/气体设备。微泰，加热闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。加热闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：ISO、JIS、ASA、CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。气动闸阀SHIELD GATE VALVE真空闸阀对于隔离不同的真空室、控制工艺过程中的气流以及在不影响真空环境的情况下促进维护或维修很重要。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，晶圆输送阀Transfer Valve，传输阀、转换阀、输送阀、转移阀是安装在半导体PVDCVD设备工艺模块和工艺室之间的阀门系统。I型输送阀，-闸门动作时无震动或冲击-通过馈通波纹管Feedthrough bellows防止阀体污染，确保高耐用性-采用LM导轨和单链路（LM-guide&Single Link）结构/小齿轮驱动方式，使其具有简单的运动、耐用性和高精度。I型输送阀有爪式（Jaw type）和夹式（Clamp type）。微泰晶圆输送阀Transfer Valve，传输阀、转换阀、输送阀、转移阀Butterfly Valve有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。

微泰，三(多)位闸阀、三位闸阀、多位闸阀应用于• 蒸发•溅射• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• 涂层• 蚀刻• 扩散•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*3个位置功能-阀门打开,阀门关闭,第3位置*设备可通过连接到阀门的9 Pin D-Sub来读取阀门状态*手动和气动阀门组合*应用:需要压力控制的任何其他过程*应用:需要压力控制的地方。三位闸阀、多位闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸：2.5英寸~ 12英寸、法兰类型ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：2.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 60 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩微泰闸阀可替代HVA闸阀、VAT闸阀。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。这节介绍加热闸阀、加热式闸阀护套、加热器插入式阀门。带加热器闸阀，加热器插入闸阀：产品范围：2~12英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：20万次•响应时间：0.2秒~3秒；客户指定法兰，加热温度：450℃；蝶形阀；蝶阀：产品范围：DN40、DN50隔离•泄漏率：1.0E-9mbar·l/秒；有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司当真空阀打开时，闸门移出流路，使气体以高电导率通过。化学气相沉积闸阀气动阀

用真空闸阀时，应考虑与工艺气体的兼容性、工作压力范围、循环速度和维护要求等因素。半导体闸阀三星半导体

微泰，控制系统闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是• 主体材质：不锈钢• 紧凑型设计• 带步进电机的集成压力控制器• 应用：需要压力控制和隔离的地方。控制系统闸阀规格如下：法兰尺寸（ID）：1.5英寸~ 10英寸、材料：阀体(STS304)/机构STS304、STS420、馈通：旋转馈通、执行器：步进电机、氦泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、压力范围：1×10-8 mbar to 1.4 bar、闸门上的压差≤1.4bar、维护前可用次数：100,000次、阀体温度≤ 150 °、控制器≤35°C、安装位置：任意、接口RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。半导体闸阀三星半导体