ICX639BKA图像传感器具有一系列突出的特性，使其成为一款优良的图像采集解决方案。首先，它拥有高灵敏度，能够在不同光线条件下捕捉细节丰富的图像，为用户提供清晰、准确的视觉体验。同时，高分辨率和低暗电流的特点使得ICX639BKA能够在保持图像质量的同时降低能耗，符合节能环保的趋势。此外，该传感器还具备优良的anti-blooming特点，能够有效抑制图像中的过曝现象，保证图像细节的完整性和真实性。而采用了Ye,Cy,Mg,G互补色镶嵌片滤光片的设计，使得ICX639BKA能够还原真实的色彩，呈现出更加生动、自然的图像效果。CMOS图像传感器采用了先进的工艺制程，确保了长期稳定性和可靠性。AR0835HSHiSpi
深圳市桑尼威尔电子有限公司的CMOS图像传感器AR0835，以其优良的性能和可靠的品质，成为摄像头和手机等设备的理想选择之一。AR0835采用先进的CMOS技术，具有高分辨率、低噪声和优良的低光性能，能够捕捉清晰细腻的图像，为用户提供出色的拍摄体验。AR0835 CMOS图像传感器在低光环境下依然能够提供清晰、细腻的图像表现。无论是在日常生活中记录美好时刻，还是在专业摄影领域追求优良，AR0835都能满足用户的各种需求，成为您拍摄的得力助手。ICX236ALCMOS图像传感器模块CMOS图像传感器的高帧率性能使其能够捕捉到快速变化的过程。
IMX459传感器采用了一种堆栈式结构，其中包括背照式SPAD像素芯片和搭载测距处理电路的逻辑芯片。这两个芯片之间通过Cu-Cu连接实现各个像素的导通。首先，背照式SPAD像素芯片是传感器的关键组成部分。SPAD（SinglePhotonAvalancheDiode）是一种能够探测单个光子的光电二极管。背照式的设计使得光线可以直接进入像素芯片的背面，从而提高了光的利用效率。这种设计可以有效地提高传感器的灵敏度和信噪比，从而实现更精确的图像和测距结果。其次，逻辑芯片搭载了测距处理电路，负责处理从像素芯片中获取的数据。这些数据包括光子的到达时间和强度等信息。逻辑芯片通过对这些数据进行处理和分析，可以实现对目标物体的距离测量。测距处理电路的设计和优化对于实现高速度、高精度的距离测量至关重要。Cu-Cu连接是背照式SPAD像素芯片和逻辑芯片之间的关键连接方式。Cu-Cu连接是一种通过铜材料实现的垂直堆叠连接，具有低电阻、低电感和高可靠性的特点。这种连接方式可以实现像素芯片和逻辑芯片之间的高速数据传输和低功耗操作，从而提高了传感器的整体性能和效率。
IMX459是一款广泛应用于自动驾驶(AD)和高级驾驶辅助系统(ADAS)的图像传感器。它需要3.3V的直流电源来供应模拟电路，1.1V的直流电源来供应数字电路，以及1.8V的直流电源来供应接口电路。该传感器采用了152引脚的塑料BGA封装，尺寸为15.65x15.35mm。这种封装形式使得IMX459能够在紧凑的空间内实现高性能图像采集和处理。同时，塑料BGA封装还具有良好的耐热性和耐冲击性，能够适应各种复杂的工作环境。IMX459具有出色的图像质量和高灵敏度，能够在各种光照条件下提供清晰、细节丰富的图像。它还具有低功耗和高动态范围的特点，能够有效地应对复杂的道路场景和光照变化。桑尼威尔的CMOS图像传感器可以捕捉到高速移动的目标，适用于运动检测和自动驾驶等应用。
型号名称：IMX459波长：905nm。有效像素：597x168。像素(水平x垂直)，约100,000。像素图像尺寸：对角线长度为6.25mm(1/2.9型)。建议光源波长：905nm。IMX459是一款型号名称为IMX459的传感器。它的波长为905nm，适用于工作在这个波长范围内的应用。该传感器具有597x168个有效像素，即水平方向上有597个像素，垂直方向上有168个像素，总共约有100,000个像素。图像尺寸为对角线长度为6.25mm，属于1/2.9型的传感器。对于使用该传感器的应用，建议使用905nm的光源波长，以获得更佳的成像效果。CMOS图像传感器采用了低噪声设计，提高了图像的信噪比。AMS超高速黑白CMOS图像传感器芯片
CMOS图像传感器的紧凑设计和低功耗特性使其适用于各种尺寸的设备。AR0835HSHiSpi
ICX205AL是一款线间图像传感器，ICX205AL图像传感器设备结构紧凑，具有高像素密度和精细的细胞大小，适合用于各种图像采集和处理应用，如数码相机、工业视觉系统等。其光学黑色和虚拟位数的设计也使其在图像采集过程中能够提供高质量的图像输出。结构如下：
●线间CCD图像传感器
●图像尺寸:对角线8mm(1/2型)
●总像素数:1434(H)×1050(V)约。1.50像素
●有效像素数:约1392(H)×1040(V)。1.45像素
●活动像素数:约1360(H)×1024(V)。1.4m像素(对角线7.959mm)
●芯片尺寸:7.60mm(H)×6.20mm(V)
●细胞大小:4.65μm(H)×4.65μm(V)
●光学黑色:水平(H)方向:前2像素，后40像素垂直(V)方向:前8像素，后2像素
●虚拟位数:水平20位 垂直3
●衬底材料:硅 AR0835HSHiSpi
