XB3153IS电源管理IC赛芯微代理

XA6206丝印：54IK65X254JAXD2854HH54FK5BGJ5BHJ5BFE5BJC65T25BJF5AGJ65K565E9APJA65Z5662K662259FH59JH59I659GC6206AAAB66S652S65165EG65T365X865X265ZD6621662G低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器的不同点在于，低压差线性稳压器(ldo)是一个自耗很低的微型片上系统(soc)。它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet，取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。正极保护的锂电池保护方案。XB3153IS电源管理IC赛芯微代理

智浦芯联创建于苏州市工业园区内，企业主要从事模拟及数模混合集成电路设计，总部现已迁移至南京。深圳设立销售服务支持中心，宁波、中山、厦门设立办事处。公司具有国内的研发实力，南京、成都均设有研发中心，并与东南大学ASIC中心成为协作单位，在国内创先开发成功并量产了多款国家/省部级科技奖励和国家重点新产品认定产品，特别在高低压集成半导体技术方面，研发团队中有多名博士主持项目的开发。建立了科技创新和知识产权的规范体系，在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计等方面积累了众多技术。XLD6031M18电源管理IC磷酸铁锂充电管理正极保护IC、的锂电池保护方案。

DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。

过压/欠压保护：放电过程中，DS2730实时监测输入/输出电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭放电通路。

过流保护：放电过程中，利用内部的高精度ADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，首先降低输出功率；如果降低功率后仍然持续过流，则触发过流保护，芯片自动关闭放电通路。

过温保护：放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTC，实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度（例如，MOS管）。当温度超出预设的保护门限时，降低放电功率。

短路保护：放电过程中，实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUS输出短路时，自动关闭放电通路。

DS5036B 是一款单串 22.5W 到 27W 双向快充移动电源 SOC，集成了同步开关升压变换器、支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充，支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充，支持 CC-CV 切换，支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议，支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。耐高压内置MOS锂电保护小封装、低功耗。

低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同，区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下，功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态，因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压，稳压器就能运作，稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高，因为输出级的阻抗较大，较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系，会耗用额外的电流，增加功耗，在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题，但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用，而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步，这两方面的问题都得以改善。内置的同步降压变换器，允许 5V~30V 的输入和 3.3V~20V 的输出，输出效率极限 98%。XB4908AJ电源管理IC上海芯龙

内部降压电路开关节点，通过电感连接至 PVDD。XB3153IS电源管理IC赛芯微代理

赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术，将控制IC与开关管集成于同一芯片，推出世界小的锂电池保护方案XB430X系列产品。该系列产品采用传统的N型开关管，与传统方案的负极保护原理一致，保护板厂商或电池厂商无需更换任何测试设备或理念。该系列芯片本身就是一个完整的锂电池保护方案，无需外接任何元器件即可实现锂电池保护的功能。为了防止Vcc线上的噪声，建议在使用XB430X系列芯片时在VCC和电池负端之间外接一个电容，如图5所示。XB3153IS电源管理IC赛芯微代理