磁控溅射的优势在于可根据靶材的性质来选择使用不同的靶电源进行溅射，靶电源分为射频靶(RF)、直流靶(DC)、直流脉冲靶(DC Pluse)。其中射频靶主要用于导电性较差的氧化物、陶瓷等介质膜的溅射，也可以进行常规金属材料溅射。直流靶只能用于导电性较好的金属材料，而直流脉冲靶介于二者之间，可溅射硅、锗等半导体材料。磁控溅射方向性要优于电子束蒸发，但薄膜质量，表面粗糙度等方面不如电子束蒸发。但磁控溅射可用于多种材料，使用范围广，电子束蒸发则只能用于金属材料蒸镀，且高熔点金属，如W，Mo等的蒸镀较为困难。所以磁控溅射常用于新型氧化物，陶瓷材料的镀膜，电子束则用于对薄膜质量较高的金属材料。真空镀膜中离子镀的镀层棱面和凹槽都可均匀镀复，不致形成金属瘤。北京新型真空镀膜
真空镀膜的方法：离子镀：在机加工刀具方面,镀制的TiN、TiC以其硬度高、耐磨性好,不粘刀等特性,使得刀具的使用寿命可提高3~10倍,生产效率也提高。在固体润滑膜方面,Z新研制的多相纳米复合膜TiN-MoS2/Ti及TiN-MoS2/WSe2,这类薄膜具有摩擦系数低,摩擦噪声小,抗潮湿氧化能力较高,高低温性能好,抗粉尘磨损能力较强及磨损寿命较长等特点,被普遍运用于车辆零部件上。与此同时,离子镀钛也在航空航天,光学器件等领域应用普遍,收效显着。广东省科学院半导体研究所。海口真空镀膜工艺流程真空溅镀可根据基材和靶材的特性直接溅射不用涂底漆。
真空镀膜：溅射镀膜：溅射出来的粒子在飞向基体过程中易和真空室中的气体分子发生碰撞，导致运动方向随机化，使得沉积的膜易于均匀。发展起来的规模性磁控溅射镀膜，沉积速率较高，工艺重复性好，便于自动化，已适当于大型建筑装饰镀膜及工业材料的功能性镀膜，如TGN-JR型用多弧或磁控溅射在卷材的泡沫塑料及纤维织物表面镀镍Ni及银Ag的生产制备。溅射镀膜可分为直流溅射、射频溅射和磁控溅射，其对应的辉光放电电压源和控制场分别为高压直流电、射频(RF)交流电和磁控(M)场。
真空镀膜的方法：真空蒸镀法：激光束蒸发源蒸镀技术是一种比较理想的薄膜制备方法,利用激光器发出高能量的激光束,经聚焦照射到镀料上,使之受热气化。激光器可置于真空室外,避免了蒸发器对镀材的污染,使膜层更纯洁。同时聚焦后的激光束功率很高,可使镀料达到极高的温度,从而蒸发任何高熔点的材料,甚至可以使某些合金和化合物瞬时蒸发,从而获得成分均匀的薄膜。真空蒸镀法具有设备简单,节约金属原材料,沉积Ti金属及其氧化物、合金镀层等,表面附着均匀,生产周期短,对环境友好,可大规模生产等突出优点。真空镀膜设备膜层厚度过厚会带一点黑色，但是是金属本色黑色。
真空镀膜：反应磁控溅射法：制备化合物薄膜可以用各种化学气相沉积或物理的气相沉积方法。但目前从工业大规模生产的要求来看，物理的气相沉积中的反应磁控溅射沉积技术具有明显的优势，因而被普遍应用，这是因为：反应磁控溅射所用的靶材料(单元素靶或多元素靶)和反应气体(氧、氮、碳氢化合物等)通常很容易获得很高的纯度，因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。反应磁控溅射中调节沉积工艺参数，可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜，从而达到通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性的目的。真空镀膜中离子镀的镀层组织致密、无小孔、无气泡、厚度均匀。四川光学真空镀膜
真空镀膜机大功率脉冲磁控溅射技术的脉冲峰值功率是普通磁控溅射的100倍，在1000~3000W/cm2范围。北京新型真空镀膜
利用PECVD生长的氧化硅薄膜具有以下优点：1.均匀性和重复性好，可大面积成膜，适合批量生长2.可在低温下成膜，对基底要求比较低3.台阶覆盖性比较好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生长方法阶段 5.应用范围广，设备简单，易于产业化。评价氧化硅薄膜的质量，简单的方法是采用BOE腐蚀氧化硅薄膜，腐蚀速率越慢，薄膜质量越致密，反之，腐蚀速率越快，薄膜质量越差。另外，沉积速率的快慢也会影响到薄膜的质量，沉积速率过快，会导致氧化硅薄膜速率过快，说明薄膜质量比较差。北京新型真空镀膜
