金华新能源汽车电流传感器案例

在t1≤t≤t2期间，电路初始条件iex(t1)仍满足式（2－7），且此时铁芯C1工作在线性区A，激磁电感为L，铁芯C1回路电压满足：vex=VOH=Vout。此时回路电压方程为：Vout=iex(t)*Rsum+L根据式(2－7)、(2－9)，可得t1≤t≤t2内，激磁电流iex表达式为：t-t1iex(t)=IC(1-eτ1)-（Ith-βIp1)eτ2（2－9）（2－10）此阶段激磁电感由l变为L，因此铁芯C1回路放放电时间常数τ2满足τ2=L/Rsum。在t2时刻，铁芯C1激磁电流iex达到正向饱和阈值电流I+th1，其满足I+th1=I+th+βIp1，可得t2时刻激磁电流终值iex(t2)满足：外部磁场的干扰就不会对测量结果产生明显的影响。因此，磁通门电流传感器的抗干扰能力得到了显著提高。金华新能源汽车电流传感器案例

根据自激振荡磁通门原理可知，通过在一个周波内对激磁电流 iex  积分计算平均激 磁电流， 再乘以采样电阻阻值可获取激磁电压平均值， 即可获得与一次电流相关的电压 信号。但由于式（2－23）复杂， 积分计算方法数据量庞大。同时根据分析 可知， 由于一次电流 Ip  的影响， 在不同一次电流下， 单个周期内正半周波与负半周波将会发生滞后或超前的现象， 从激磁电压周期变化观点来看， 当 Ip=0 时， 采样电压 VRs 一 个周波内正向周波时间等于负向周波时间，即 TP=TN ；当 Ip>0 时，采样电压 VRs 一个周 波内正向周波时间小于负向周波时间，即 TP<TN ；当 Ip<0 时，采样电压 VRs 一个周波正 向周波时间大于负向周波时间， 即 TP>TN；而激磁电压只有两个离散值正向峰值电压 VOH 和反向峰值电压 VOL ，且满足-VOL=VOH=Vout。因此， 通过计算激磁电压在一个周波内的 平均值， 以反向观察激磁电流在一个周波内的变化更为简单。青岛高精度电流传感器设计标准磁阻效应传感器是根据磁性材料的磁阻效应制成的。

IC为稳态充电电流，即在理想情况下t=∞时刻，通过激磁电感中的稳态充电电流满足IC=Vout/Rsum。τ1为铁芯C1回路放放电时间常数，τ1=l/Rsum。在t1时刻，铁芯C1工作点将由负向饱和区C进入线性区A，此时激磁电流iex降低至负向饱和阈值电流I-th1，其满足Ip=-Ip1，I-th1=I-th-βIp。可得t1时刻激磁电流终值iex(t1)满足：iex(t1)=一I-th1=一Ith+βIp1 其中β=Np/N1，βIp1可以将理解为，一次电流在铁芯C1中产生的磁势折算到激磁绕组W1侧的磁势大小。

无锡纳吉伏针对的电流测量场景主要是一二次融合背景下，交流电网中存在部分直流分量情景，其中直流分量高为半波电流时的直流占比，即很大占比为交流分量的1/π。无锡纳吉伏设计的交直流电流传感器主要性能参数如下：（1）变比：1000:1；（2）检测带宽：0-50Hz；（3）额定电流：交流500A，直流700A；（4）准确度要求：直流测量误差满足0.05级；交流测量误差满足0.05级。（5）应用场景：直流单独测量，交流单独测量，交直流同时测量。通过测量电流，可以了解电路中的能量消耗、电阻、电容和电感等参数。

电流传感器在新能源汽车中有多个重要应用。以下是一些常见的应用： 电池管理系统（Battery Management System，简称BMS）：电池是新能源汽车的重要部件之一，而电流传感器在BMS中起着关键作用。它用于测量电池充电和放电过程中的电流变化，以监测电池的状态和保护电池免受过载和过放的损害。 电动机控制系统：在新能源汽车中，电动机是用于驱动车辆的关键部件。电流传感器被用于测量电动机的工作电流，以帮助控制电动机的运行状态和保护电动机免受过载和过热的损害。 充电系统：电流传感器在新能源汽车的充电系统中也得到了非常多应用。它被用于测量充电过程中的电流变化，以监测充电状态和确保充电过程的安全和效率。 动力电池故障诊断：电流传感器用于监测动力电池系统中的电流变化，以便诊断和检测电池组件或电路的故障。通过监测电流变化，可以及时发现故障并采取适当的措施。 总的来说，电流传感器在新能源汽车中扮演着重要的角色，帮助测量和监测电流变化，保证电池、电动机和充电系统的正常运行，并实现故障诊断和保护措施。这些应用有助于提高新能源汽车的安全性、可靠性和效率。近年来，又出现一种新的巨磁阻抗效应传感器。九江内阻测试仪电流传感器价格

自激振荡磁通门基本数学模型是平均电流模型。金华新能源汽车电流传感器案例

根据自激振荡磁通门传感器起振过程分析可知，铁芯工作在周期性正负交替饱和状态是磁调制过程的必要条件。倘若一次电流过大则导致铁芯只是工作在正向磁饱和区或只是工作在负向磁饱和区，此时铁芯单向饱和严重，磁化曲线严重畸变，无法完成电流准确测量。因此，按照一次电流磁势与自激振荡磁通门电路稳态充电电流IC所对应磁势的合成磁势大于铁芯C1饱和阈值电流Ith所对应磁势的原则，当一次电流为正向时，一次电流磁势大小满足：一NpIp+N1Ic之N1Ith化简式（2－43），可得一次电流Ip满足：Ip<N1(IC一Ith)Np同理在当一次电流为负向时，一次电流Ip满足：一N1(IC一Ith)Np（2－43）（2－44）（2－45）综合式（2－44），（2－45）可得自激振荡磁通门传感器测量一次电流Ip的范围为：一N1(IC一Ith)NpN1(IC一Ith)Np（2－46）式（2－46）中Ip表示一次电流峰值。金华新能源汽车电流传感器案例