EVG®510HE特征：用于聚合物基材和旋涂聚合物的热压印应用自动化压印工艺EVG专有的独力对准工艺，用于光学对准的压印和压印完全由软件控制的流程执行闭环冷却水供应选项外部浮雕和冷却站EVG®510HE技术数据：加热器尺寸：150毫米，200毫米蕞大基板尺寸：150毫米，200毫米蕞小基板尺寸：单芯片，100毫米蕞大接触力：10、20、60kN最高温度：标准：350°C；可选：550°C夹盘系统/对准系统150毫米加热器：EVG®610，EVG®620，EVG®6200200毫米加热器：EVG®6200，MBA300，的SmartView®NT真空：标准：0.1毫巴可选：0.00001mbarEVG®610和EVG®620NT / EVG®6200NT是具有紫外线纳米压印功能的通用掩模对准系统。广东氮化镓纳米压印
SmartNIL是一项关键的启用技术，可用于显示器，生物技术和光子应用中的许多新创新。例如，SmartNIL提供了无人能比的全区域共形压印，以便满足面板基板上线栅偏振器的ZUI重要标准。SmartNIL还非常适合对具有复杂纳米结构的微流控芯片进行高精度图案化，以支持下一代药物研究和医学诊断设备的生产。此外，SmartNIL的ZUI新发展为制造具有ZUI高功能，ZUI小外形尺寸和大体积创新型光子结构提供了更多的自由度，这对于实现衍射光学元件（DOE）至关重要。特征：体积验证的压印技术，具有出色的复制保真度专有SmartNIL®技术，多使用聚合物印模技术经过生产验证的分辨率低至40nm或更小大面积全场压印总拥有成本ZUI低在地形上留下印记对准能力室温过程开放式材料平台衬底纳米压印推荐产品SmartNIL是基于紫外线曝光的全域型压印技术。
SmartNIL是行业领仙的NIL技术，可对小于40nm*的极小特征进行图案化，并可以对各种结构尺寸和形状进行图案化。SmartNIL与多用途软戳技术相结合，可实现无人可比的吞吐量，并具有显着的拥有成本优势，同时保留了可扩展性和易于维护的操作。EVG的SmartNIL兑现了纳米压印的长期前景，即纳米压印是一种用于大规模制造微米级和纳米级结构的低成本，大批量替代光刻技术。注：*分辨率取决于过程和模板如果需要详细的信息，请联系我们岱美仪器技术服务有限公司。
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UWMadison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅大达简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板，并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。研究人员称，这项突破性的纳米压印平板印刷制造工艺，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶体管。由于出色的低电流需求和更好的高频性能，MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求，MOSFET尺寸也在不断变小，然而这也引发了一些问题。SmartNIL集成多次使用的软标记处理功能，也具有显着的拥有成本的优势，同时保留可扩展性和易于维护的特点。
具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。在纳米生物传感器中，纳米压印可以用于制备纳米级的生物传感器，用于检测生物分子的存在和浓度。广东氮化镓纳米压印
在纳米电子器件中，纳米压印可以用于制备纳米线、纳米点阵等结构，用于制备纳米级的电子器件。广东氮化镓纳米压印
EVG®520HE热压印系统特色：经通用生产验证的热压印系统，可满足ZUI高要求EVG520HE半自动热压印系统设计用于对热塑性基材进行高精度压印。EVG的这种经过生产验证的系统可以接受直径ZUI大为200mm的基板，并且与标准的半导体制造技术兼容。热压印系统配置有通用压花腔室以及高真空和高接触力功能，并管理适用于热压印的整个聚合物范围。结合高纵横比压印和多种脱压选项，提供了许多用于高质量图案转印和纳米分辨率的工艺。如果需要详细的信息，请联系我们岱美仪器技术服务有限公司。广东氮化镓纳米压印
