XC5015电源管理IC两串两节保护

XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压，并且可使用可外扩MOS型，使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率：87%l低纹波，低噪声。丝印：E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100B锂电池电保护芯片小封装、低功耗、智能穿戴应用。XC5015电源管理IC两串两节保护

复合锂电池保护IC 二合一 产品型号：复合锂电池保护IC 复合锂电池保护IC 二合一 目前锂电池的应用，从手机、MP3、MP4、GPS、玩具等便携式设备到需要持续保存数据的煤气表，其市场容量已经达到每月几亿只。为了防止锂电池在过充电、过放电、过电流等异常状态影响电池寿命，通常要通过锂电池保护装置来防止异常状态对电池的损坏。锂电池保护装置的电路原理如图1所示，主要是由电池保护控制IC和外接放电开关M1以及充电开关M2来实现。当P+/P-端连接充电器，给电池正常充电时，M1、M2均处于导通状态；当控制IC检测到充电异常时，将M2关断终止充电。当P+/P-端连接负载，电池正常放电时，M1、M2均导通；当控制IC检测到放电异常时，将M1关断终止放电。XB9241A电源管理IC上海芯龙锂电充电管理0.5-1A电流 +OVP过压保护+耐高压30V +BAT耐压18V。

保护板对单一电芯保护时，保护板设计会相对简单，技术性较高的地方在于，比如对动力电池保护板设计需要注意的电压平台问题，动力电池在使用中往往被要求很大的平台电压，所以设计保护板时尽量使保护板不影响电芯放电的电压，这样对控制IC，精密电阻等元件的要求就会很高，一般国产IC能满足大多数产品要求，特殊可以采用进口产品，电流采样电阻则需要使用JEPSUN捷比信电阻，以满足高精密度，低温度系数，无感等要求。对多电芯保护板设计，则有更高的技术要求，按照不同的需要，设计复杂程度各不相同的产品。 主要技术功能: 1、过充保护 2、过放保护 3、过流、短路保护 手机电池启动保护后的解决方法(来源于网络): 1、用原配的直冲在手机上直接充电，会把电池保护板的保护电路自动冲开。 2、把电池的正负极瞬间短路，看到电极片上有火花就行了，多试几次，然后再用直充充电。 3、找个5V的直流电，用正负极轻触电池的正负极，多试几次，再用原充电器充。

5301C、6501C、STP01、STP02、3IS1、A0v、3A、6A、6D、6B、XBaca、XBaaA、2h1Hj、XB4908、5136IS、5152I2SZ、3IS3、H3A3b1、3A3d1、6A3Z、6D3K、XBaaA3b1、XBaaA3b2、XB4908AJ、XB4908AJ3K2、XB4908GJ1w1、XB4908GJ3d1、5306A3T、5306A3W、5307A3A、5332A2W5、5332A2w、55352A3T、5352AR、3Q5352G2n、5352G3T、5352G3T/、5352G2r、5353A3T、5353A3W、5606AJ2s3、5606AJ2u1、5606AJ2v、15606AJ2z6、5606GJ1E、5608AJ2z、5608AJ3K、XB6008H3Q、3J131dA、6096J9o、6096J9q、6096JS0N、XB7608A2S3、XB7608A2S6、XB7608AJ3c1、XB7608AJL3a1、XB7608GJ3Z、XB7608GJ3d、XB8089D2h、XB8089D3T、XB8089D3U、XB8089G2n、XB8608AJ2W、XB8608AJ2s、XB8886A3B4、XB8886A3X1、XB8886A3b4、XB8886G3H、XB8989A2x、XB8989A3V31ihv、XC30713M、XC31012u、3105AN1w、50150y、50151P、AN1R、AN1S、XR29812e/、XR29812g、34033L、9u27、2m2DV、2n2DV、2f1D、a2g1Da、2g2Da2g2Da/、2f1Da、2g3Da、2g3Da/、2g2Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、二合一单晶园锂电池保护IC。

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XC3098(磷酸铁锂充电芯片）。XC5015电源管理IC两串两节保护

电池充管理芯片磷酸铁锂。XC5015电源管理IC两串两节保护

低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同，区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下，功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态，因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压，稳压器就能运作，稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高，因为输出级的阻抗较大，较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系，会耗用额外的电流，增加功耗，在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题，但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用，而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步，这两方面的问题都得以改善。XC5015电源管理IC两串两节保护