真空镀膜：可镀材料普遍：离子镀由于是利用高能离子轰击工件表面，使大量的电能在工件表面转换成热能，从而促进了表层组织的扩散作用和化学反应。然而，整个工件，特别是工件心部并未受到高温的影响。因此这种镀膜工艺的应用范围较广，受到的局限性则较小。通常，各种金属、合金以及某些合成材料、绝缘材料、热敏材料和高熔点材料等均可镀复。即可在金属工件上镀非金属或金属，也可在非金属上镀金属或非金属，甚至可镀塑料、橡胶、石英、陶瓷等。真空镀膜机、真空镀膜设备多弧离子镀膜产品质量的高低是针对某种加工对象和满足其要求的。蚌埠纳米涂层真空镀膜
基片温度对薄膜结构有较大影响，基片温度高，使吸附原子的动能增大，跨越表面势垒的几率增多，容易结晶化，并使薄膜缺陷减少，同时薄膜内应力也会减少，基片温度低，则易形成无定形结构膜。 材料饱和蒸汽压随温度的上升而迅速增大，所以实验时必须控制好蒸发源温度。蒸发镀膜常用的加热方法时电阻大电流加热，采用钨，钼，铂等高熔点的金属。真空镀膜时，飞抵基片的气化原子或分子，一部分被反射，一部分被蒸发离开，剩下的要么结合在一起，再捕获其他原子或分子，使得自己增大；或者单个原子或分子在基片上自由扩散，逐渐生长，覆盖整个基片，形成镀膜。注意的是基片的清洁度和完整性将影响到镀膜的形成速率和质量蚌埠纳米涂层真空镀膜各种真空镀膜技术都需要一个特定的真空环境。
真空镀膜：技术优点：镀层附着性能好：普通真空镀膜时，在工件表面与镀层之间几乎没有连接的过渡层，好似截然分开。而离子镀时，离子高速轰击工件时，能够穿透工件表面，形成一种注入基体很深的扩散层，离子镀的界面扩散深度可达四至五微米，对离子镀后的试件作拉伸试验表明，一直拉到快要断裂时，镀层仍随基体金属一起塑性延伸，无起皮或剥落现象发生,可见附着多么牢固，膜层均匀，致密。绕镀能力强：离子镀时，蒸发料粒子是以带电离子的形式在电场中沿着电力线方向运动，因而凡是有电场存在的部位，均能获得良好镀层，这比普通真空镀膜只能在直射方向上获得镀层优越得多。因此，这种方法非常适合于镀复零件上的内孔、凹槽和窄缝。等其他方法难镀的部位。用普通真空镀膜只能镀直射表面，蒸发料粒子尤如攀登云梯一样，只能顺梯而上；而离子镀则能均匀地绕镀到零件的背面和内孔中，带电离子则好比坐上了直升飞机，能够沿着规定的航线飞抵其活动半径范围内的任何地方。
真空镀膜：溅射镀膜：溅射出来的粒子在飞向基体过程中易和真空室中的气体分子发生碰撞，导致运动方向随机化，使得沉积的膜易于均匀。发展起来的规模性磁控溅射镀膜，沉积速率较高，工艺重复性好，便于自动化，已适当于大型建筑装饰镀膜及工业材料的功能性镀膜，如TGN-JR型用多弧或磁控溅射在卷材的泡沫塑料及纤维织物表面镀镍Ni及银Ag的生产制备。溅射镀膜可分为直流溅射、射频溅射和磁控溅射，其对应的辉光放电电压源和控制场分别为高压直流电、射频(RF)交流电和磁控(M)场。真空镀膜镀的薄膜致密性好。
所谓的原子层沉积技术，是指通过将气相前驱体交替脉冲通入反应室并在沉积基体表面发生气固相化学吸附反应形成薄膜的一种方法。原子层沉积（ALD）是一种在气相中使用连续化学反应的薄膜形成技术。化学气相沉积：1个是分类的（CVD的化学气相沉积）。在许多情况下，ALD是使用两种称为前体的化学物质执行的。每种前体以连续和自我控制的方式与物体表面反应。通过依次重复对每个前体的曝光来逐渐形成薄膜。ALD是半导体器件制造中的重要过程，部分设备也可用于纳米材料合成。真空镀膜的主要功能包括赋予被镀件表面高度金属光泽和镜面效果。西安真空镀膜厂
真空镀膜机电阻式蒸发镀分为预热段、预溶段、线性蒸发段三个步骤。蚌埠纳米涂层真空镀膜
真空镀膜的方法：化学气相沉积：在等离子化学气相沉积法中,等离子体中电子温度高达104K,电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性很高的各种化学基团,产生大量反应活性物种而使整个反应体系却保持较低温度。而普通的CVD法沉积温度高(一般为1100℃),当在钢材表面沉积氮化钛薄膜时,由于温度很高,致使膜层与基体间常有脆性相出现,致使刀具的切削寿命降低。利用直流等离子化学气相沉积法,在硬质台金上沉积TiN膜结构与性能均匀。蚌埠纳米涂层真空镀膜
