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Gerber输出Gerber输出前重新导入网表，保证终原理图与PCB网表一致，确保Gerber输出前“替代”封装已更新，根据《PCBLayout检查表》进行自检后，进行Gerber输出。PCBLayout在输出Gerber阶段的所有设置、操作、检查子流程步骤如下：Gerber参数设置→生成Gerber文件→IPC网表自检。（1）光绘格式RS274X，原点位置设置合理，光绘单位设置为英制，精度5:5（AD精度2:5）。（2）光绘各层种类齐全、每层内容选择正确，钻孔表放置合理。（3）层名命名正确，前缀统一为布线层ART,电源层PWR，地层GND，与《PCB加工工艺要求说明书》保持一致。（4）检查Drill层：（5）孔符层左上角添加CAD编号，每层光绘左下角添加各层层标。帮助学员不断更新知识和技能，适应行业的快速变化。深圳常规PCB培训功能

PCB板上高速信号上的AC耦合靠近哪一端效果更好？经常看见不同的处理方式，有靠近接收端的，有靠近发射端的。我们先看看AC耦合电容的作用，无外乎三点：①source和sink端DC不同，所以隔直流；②信号传输时可能会串扰进去直流分量，所以隔直流使信号眼图更好；③AC耦合电容还可以提供直流偏压和过流的保护。说到底，AC耦合电容的作用就是提供直流偏压，滤除信号的直流分量，使信号关于0轴对称。那为什么要添加这个AC耦合电容？当然是有好处的，增加AC耦合电容肯定是使两级之间更好的通信，可以改善噪声容限。要知道AC耦合电容一般是高速信号阻抗不连续的点，并且会导致信号边沿变得缓慢。一些协议或者手册会提供设计要求，我们按照designguideline要求放置。武汉正规PCB培训哪家好同类型插装元器件在X或Y方向上应朝一个方向放置。

⑶间距相邻导线之间的距离应满足电气安全的要求，串扰和电压击穿是影响布线间距的主要电气特性。为了便于操作和生产，间距应尽量宽些，选择小间距至少应该适合所施加的电压。这个电压包括工作电压、附加的波动电压、过电压和因其它原因产生的峰值电压。当电路中存在有市电电压时，出于安全的需要间距应该更宽些。⑷路径信号路径的宽度，从驱动到负载应该是常数。改变路径宽度对路径阻抗(电阻、电感、和电容)产生改变，会产生反射和造成线路阻抗不平衡。所以，保持路径的宽度不变。在布线中，避免使用直角和锐角，一般拐角应该大于90°。直角的路径内部的边缘能产生集中的电场，该电场产生耦合到相邻路径的噪声，45°路径优于直角和锐角路径。当两条导线以锐角相遇连接时，应将锐角改成圆形。

工艺方面注意事项（1）质量较大、体积较大的SMD器件不要两面放置；（2）质量较大的元器件放在板的中心；（3）可调元器件的布局要方便调试（如跳线、可变电容、电位器等）；（4）电解电容、钽电容极性方向不超过2个；（5）SMD器件原点应在器件中心，布局过程中如发现异常，通知客户或封装工程师更新PCB封装。布局子流程为：模块布局→整体布局→层叠方案→规则设置→整板扇出。模块布局模块布局子流程：模块划分→主芯片放置并扇出→RLC电路放置→时钟电路放置。常见模块布局参考5典型电路设计指导。元器件的排列要便于调试和维修，亦即小元件周围不能放置大元件、需调试的元、器件周围要有足够的空间。

为了将零件固定在PCB上面，我们将它们的接脚直接焊在布线上。在基本的PCB（单面板）上，零件都集中在其中一面，导线则都集中在另一面。这么一来我们就需要在板子上打洞，这样接脚才能穿过板子到另一面，所以零件的接脚是焊在另一面上的。因为如此，PCB的正反面分别被称为零件面（ComponentSide）与焊接面（SolderSide）。如果PCB上头有某些零件，需要在制作完成后也可以拿掉或装回去，那么该零件安装时会用到插座（Socket）。41321·各功能单元电路的布局应以主要元件为中心,来围绕这个中心进行布局。湖北正规PCB培训多久

通过学习PCB的结构、材料以及层次设计，学员可以逐步了解不同类型的PCB及其特点。深圳常规PCB培训功能

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。深圳常规PCB培训功能