基准电压源输出架构的两种基本类型是串联和分流。 分流基准电压源类似于齐纳二极管，它具有两个引脚，以固定电压吸取可变电流。然而，如果温度在较大范围内变动，热机械迟滞会将基准电压源的可重复性限制在14位左右，而无论它们是否校准得很好，也无论是否进行了温度补偿。很多基准电压源数据手册会给出长期漂移——通常约为25ppm/1000小时。这一误差与时间的平方根成比例关系，即25ppm/1000小时≈75ppm/年。实际比例似乎(不一定)比这更好一点，因为老化速率通常在经过前几千小时之后会有所降低。因此，得到一个约14位的图。基准电压源具有多种形式和不同的特性，但归根结底，精度和稳定性是基准电压源**重要的特性。江苏电压基准基准源芯片型号
数控基准电压源是当代模拟集成电路极为重要的组成部分，它为串联型稳压电路、A/D和D/A转化器提供基准电压，也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。另外，基准电压源也可作为标准电池、仪器表头的刻度标准和精密电流源。几乎在所有先进的电子产品中都可以找到电压基准源，它们可能是**的、也可能集成在具有更多功能的器件中。例如：在数据转换器中，基准源提供了一个***电压，与输入电压进行比较以确定适当的数字输出。在电压调节器中，基准源提供了一个已知的电压值，用它与输出作比较，得到一个用于调节输出电压的反馈。在电压检测器中，基准源被当作一个设置触发点的门限。金华工业自动化基准源芯片生产厂家基准源芯片的原理有哪些呢？
基准电压源是模拟集成电路的重要组成部分，在许多集成电路中都需要精密又稳定的电压基准，如模数转换器、数模转换器、线性稳压器和开关稳压器。目前采用的基准电压源设计方法主要有三种：掩埋齐纳二极管、XFET（外加离子注入结型场效应管）和带隙基准电压源，带隙基准电压源包括双极型和CMOS基准电压与额定电压是如何理解? —— 基准电压是对比参考电压，额定电压是设备能承受的最大电压。基准电压是什么? —— 基准电压是电子电路中的电压标准，是测量、标定电路中其他电压的依据。如模数转换器（A/D）、直流稳压电源必须有基准电压，才能精确测量未知电压、输出标准电压。
精度要求应切合实际。了解应用所需的精度非常重要。这有助于确定关键规格。考虑到这一要求，将温度漂移乘以指定温度范围，加上初始精度误差、热迟滞和预期产品寿命期间的长期漂移，减去任何将在出厂时校准或定期重新校准的项，便得到总体精度。对于要求**苛刻的应用，还可以增加噪声、电压调整率和负载调整率误差。例如，一个基准电压源的初始精度误差为 0.1% (1000ppm)，-40°C 至 85°C 范围内的温度漂移为 25ppm/°C，热迟滞为 200ppm，峰峰值噪声为 2ppm，时间漂移为 50ppm/√kHr，则在电路建成时总不确定性将超过 4300ppm。在电路通电后的**00 小时，这种不确定性增加 50ppm。初始精度可以校准，从而将误差降低至 3300ppm + 50ppm • √(t/1000 小时)。对于系统设计师来说，问题不在于是否需要基准电压源，而在于使用什么基准电压源。
基本带隙基准电压源背后的数学原理很有意思，因为它将已知温度系数与独特的电阻率相结合，产生理论上温度漂移为零的基准电压。图 5 显示了两个晶体管，经调整后，Q10 的发射极面积为 Q11 的 10 倍，而 Q12 和 Q13 的集电极电流保持相等。选择基准电压源了解所有这些选项之后，如何为应用选择恰当的基准电压源呢？以下是一些用来缩小选择范围的窍门：■电源电压是否非常高？选择分流基准电压源。■电源电压或负载电流的变化范围是否很大？选择串联基准电压源。■是否需要高功效比？选择串联基准电压源。基准源芯片的供应商推荐有哪些呢？重庆放大器基准源芯片市场价
**简单的串联基准电压源具有射极跟随器输出级，并且只能提供源电流。江苏电压基准基准源芯片型号
长期稳定性该规格测量了基准电压随时间变化的趋势，与其他变量无关。初始偏移主要是由机械应力的变化引起的，这通常来自于导线框架、裸片和模塑化合物的膨胀率。这种应力效应往往有很大的初始偏移，然后随着时间的推移，偏移会迅速减少。初始漂移还包括电路元件电气特性的变化，包括设备特性在原子水平上的建立。更长期的偏移是由电路元件的电气变化引起的，通常称为老化。与初始漂移相比，这种漂移倾向于以较低的速度发生，并且随着时间的推移而进一步降低。因此，它通常使用漂移/√khr来表示。在较高的温度下，基准电压源的老化速度往往更快江苏电压基准基准源芯片型号
