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SDRAM的端接1、时钟采用∏型(RCR)滤波，∏型滤波的布局要紧凑，布线时不要形成Stub。2、控制总线、地址总线采用在源端串接电阻或者直连。3、数据线有两种端接方法，一种是在CPU和SDRAM中间串接电阻，另一种是分别在CPU和SDRAM两端串接电阻，具体的情况可以根据仿真确定。SDRAM的PCB布局布线要求1、对于数据信号，如果32bit位宽数据总线中的低16位数据信号挂接其它如boot、flashmemory、244\245缓冲器等的情况，SDRAM作为接收器即写进程时，首先要保证SDRAM接收端的信号完整性，将SDRAM芯片放置在信号链路的远端，对于地址及控制信号的也应该如此处理。2、对于挂了多片SDRAM芯片和其它器件如boot、flashmemory、244\245缓冲器等的情况，从信号完整性角度来考虑，SDRAM芯片及boot、flashmemory、244\245缓冲器等集中紧凑布局。3、源端匹配电阻应靠近输出管脚放置，退耦电容靠近器件电源管脚放置。4、SDRAM的数据、地址线推荐采用菊花链布线线和远端分支方式布线，Stub线头短。5、对于SDRAM总线，一般要对SDRAM的时钟、数据、地址及控制信号在源端要串联上33欧姆或47欧姆的电阻，否则此时总线上的过冲大，可能影响信号完整性和时序,有可能会损害芯片。晶振电路的布局布线要求。荆门常规PCB设计报价

 射频、中频电路（2）屏蔽腔的设计1、应把不同模块的射频单元用腔体隔离，特别是敏感电路和强烈辐射源之间，在大功率多级放大器中，也应保证级与级之间隔开。2、印刷电路板的腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳。3、在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏，过孔应相互错开，同排过孔间距为150Mil。4、在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔，保证其固定屏蔽壳。5、腔体的周边为密封的，一般接口的线要引入腔体里采用带状线的结构；而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构，这样内部的屏蔽腔采用开槽处理，开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。6、屏蔽罩设计实例随州哪里的PCB设计布线PCB设计中常用的电源电路有哪些？

Gerber输出Gerber输出前重新导入网表，保证终原理图与PCB网表一致，确保Gerber输出前“替代”封装已更新，根据《PCBLayout检查表》进行自检后，进行Gerber输出。PCBLayout在输出Gerber阶段的所有设置、操作、检查子流程步骤如下：Gerber参数设置→生成Gerber文件→IPC网表自检。（1）光绘格式RS274X，原点位置设置合理，光绘单位设置为英制，精度5:5（AD精度2:5）。（2）光绘各层种类齐全、每层内容选择正确，钻孔表放置合理。（3）层名命名正确，前缀统一为布线层ART,电源层PWR，地层GND，与《PCB加工工艺要求说明书》保持一致。（4）检查Drill层：（5）孔符层左上角添加CAD编号，每层光绘左下角添加各层层标。（5）孔符层左上角添加CAD编号，每层光绘左下角添加各层层标。（5）孔符层左上角添加CAD编号，每层光绘左下角添加各层层标。（5）孔符层左上角添加CAD编号，每层光绘左下角添加各层层标。（5）孔符层左上角添加CAD编号，每层光绘左下角添加各层层标。

整体布局整体布局子流程：接口模块摆放→中心芯片模块摆放→电源模块摆放→其它器件摆放◆接口模块摆放接口模块主要包括：常见接口模块、电源接口模块、射频接口模块、板间连接器模块等。（1）常见接口模块：常用外设接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信号流向将各接口模块电路靠近其所对应的接口摆放，采用“先防护后滤波”的思路摆放接口保护器件，常用接口模块参考5典型电路设计指导。（2）电源接口模块：根据信号流向依次摆放保险丝、稳压器件和滤波器件，按照附表4-8，留足够的空间以满足载流要求。高低电压区域要留有足够间距，参考附表4-8。（3）射频接口模块：靠近射频接口摆放，留出安装屏蔽罩的间距一般为2-3mm，器件离屏蔽罩间距至少0.5mm。具体摆放参考5典型电路设计指导。（5）连接器模块：驱动芯片靠近连接器放置。屏蔽腔的设计具体步骤流程。

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。京晓科技给您带来PCB设计布线的技巧。荆门高效PCB设计批发

PCB设计中IPC网表自检的方法。荆门常规PCB设计报价

绘制结构特殊区域及拼板（1）设置允许布局区域：回流焊传送边的宽度要求为5mm以上,传送边上不能有贴片元器件；一般使用板框长边用作回流焊传送边；短边内缩默认2mm，不小于1mm；如短边作为传送边时，宽长比＞2:3；传送边进板方向不允许有缺口；传送边中间有缺口时长度不超过传送边1/3。特殊要求按照《PCBLayout业务资料及要求》要求进行，并记录到《项目设计沟通记录表》中。（2）设置允许布线区域：允许布线区域为从板框边缘内缩默认40Mil，不小于20Mil；特殊要求按照《PCBLayout业务资料及要求》要求进行，并记录到《项目设计沟通记录》中。（3）螺钉孔禁布区域由器件焊盘单边向外扩大1mm，特殊要求按照《PCBLayout业务资料及要求》要求进行，并记录到《项目设计沟通记录》中。（4）PCB中Top及Bottom面各增加3个非对称的Mark点，Mark点封装由封装组提供，1mm标准Mark点外边沿距离传送边板边间距≥5mm荆门常规PCB设计报价

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