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 射频、中频电路（2）屏蔽腔的设计1、应把不同模块的射频单元用腔体隔离，特别是敏感电路和强烈辐射源之间，在大功率多级放大器中，也应保证级与级之间隔开。2、印刷电路板的腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳。3、在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏，过孔应相互错开，同排过孔间距为150Mil。4、在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔，保证其固定屏蔽壳。5、腔体的周边为密封的，一般接口的线要引入腔体里采用带状线的结构；而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构，这样内部的屏蔽腔采用开槽处理，开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。6、屏蔽罩设计实例如何梳理PCB设计布局模块框图？武汉高效PCB设计销售电话

工艺方面注意事项（1）质量较大、体积较大的SMD器件不要两面放置；（2）质量较大的元器件放在板的中心；（3）可调元器件的布局要方便调试（如跳线、可变电容、电位器等）；（4）电解电容、钽电容极性方向不超过2个；（5）SMD器件原点应在器件中心，布局过程中如发现异常，通知客户或封装工程师更新PCB封装。布局子流程为：模块布局→整体布局→层叠方案→规则设置→整板扇出。模块布局模块布局子流程：模块划分→主芯片放置并扇出→RLC电路放置→时钟电路放置。常见模块布局参考5典型电路设计指导。湖北正规PCB设计怎么样时钟驱动器的布局布线要求。

添加特殊字符（1）靠近器件管脚摆放网络名，摆放要求同器件字符，（2）板名、版本丝印：放置在PCB的元件面，水平放置，比元件位号丝印大（常规丝印字符宽度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名丝印，方便识别。添加特殊丝印（1）条码：条码位置应靠近PCB板名版本号，且长边必须与传送方向平行，区域内不能有焊盘直径大于0.5mm的导通孔，如有导通孔则必须用绿油覆盖。条码位置必须符合以下要求，否则无法喷码或贴标签。1、预留区域为涂满油墨的丝印区。2、尺寸为22.5mmX6.5mm。3、丝印区外20mm范围内不能有高度超过25mm的元器件。2）其他丝印：所有射频PCB建议添加标准“RF”的丝印字样。对于过波峰焊的过板方向有明确规定的PCB,如设计了偷锡焊盘、泪滴焊盘或器件焊接方向，需要用丝印标示出过板方向。如果有扣板散热器，要用丝印将扣板散热器的轮廓按真实大小标示出来。放静电标记的优先位置是PCB的元件面，采用标准的封装库。在板名旁留出生产序列号的空间，字体格式、大小由客户确认。

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。整板布线的工艺技巧和规则。

工艺、层叠和阻抗信息确认（1）与客户确认阻抗类型，常见阻抗类型如下：常规阻抗：单端50欧姆，差分100欧姆。特殊阻抗：射频线单端50欧姆、75欧姆隔层参考，USB接口差分90欧姆，RS485串口差分120欧姆。（2）传递《PCBLayout业务资料及要求》中的工艺要求、层叠排布信息和阻抗要求至工艺工程师，由工艺工程师生成《PCB加工工艺要求说明书》，基于以下几点进行说明：信号层夹在电源层和地层之间时,信号层靠近地层。差分间距≤2倍线宽。相邻信号层间距拉大。阻抗线所在的层号。（3）检查《PCB加工工艺要求说明书》信息是否有遗漏，错误，核对无误后再与客户进行确认。PCB布局设计中布线的设计技巧。正规PCB设计哪家好

PCB布局布线设计规则。武汉高效PCB设计销售电话

SDRAM各管脚功能说明：1、CLK是由系统时钟驱动的，SDRAM所有的输入信号都是在CLK的上升沿采样，CLK还用于触发内部计数器和输出寄存器；2、CKE为时钟使能信号，高电平时时钟有效，低电平时时钟无效，CKE为低电平时SDRAM处于预充电断电模式和自刷新模式。此时包括CLK在内的所有输入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高电平。3、CS#为片选信号，低电平有效，当CS#为高时器件内部所有的命令信号都被屏蔽，同时，CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号，低电平有效，这三个信号与CS#一起组合定义输入的命令。5、DQML，DQMU为数据掩码信号。写数据时，当DQM为高电平时对应的写入数据无效，DQML与DQMU分别对应于数据信号的低8位与高8位。6、A<0..12>为地址总线信号，在读写命令时行列地址都由该总线输入。7、BA0、BA1为BANK地址信号，用以确定当前的命令操作对哪一个BANK有效。8、DQ<0..15>为数据总线信号，读写操作时的数据信号通过该总线输出或输入。武汉高效PCB设计销售电话

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