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整板扇出（1）对板上已处理的表层线和过孔按照规则进行相应的调整。（2）格点优先选用25Mil的，其次采用5Mil格点，过孔扇出在格点上，相同器件过孔走线采用复制方式，保证过孔上下左右对齐、常见分立器件的扇出形式（3）8MIL过孔中心间距35MIL以上，10MIL过孔中心间距40MIL以上，以免将平面层隔断；差分过孔间距一般为30Mil（或过孔边缘距为8Mil）。（4）芯片电源管脚先过电容再打过孔（5）所有电源/地管脚就近打孔，高速差分过孔附近30-50Mil内加回流地孔，模块内通过表层线直连，无法连接的打过孔处理。（6）电源输出过孔打在输出滤波电容之后，电源输入过孔扇出在输入滤波电容之前，过孔数目满足电源载流要求，过孔通流能力参照，地孔数不少于电源过孔数。晶振电路的布局布线要求。咸宁高速PCB设计价格大全

FPGA管换注意事项，首先和客户确认是否可以交换以及交换原则，其次，在FPGA交换管脚期间，不允许有原理图的更改，如果原理图要更改，在导入更改之后再调整管脚，管换的一般原则如下，在调整时应严格意遵守：（1）基本原则：管脚不能调整，I/O管脚、Input管脚或者Output管脚可调整。（2）FPGA的同一BANK的供电电压相同，如果两个Bank电压不同，则I/O管脚不能交换；如果电压相同，应优先考虑在同一BANK内交换，其次在BANK间交换。（3）对于全局时钟管脚，只能在全局时钟管脚间进行调整，并与客户进行确认。（4）差分信号对要关联起来成对调整，成对调整，不能单根调整，即N和N调整，P和P调整。（5）在管脚调整以后，必须进行检查，查看交换的内容是否满足设计要求。（6）与调整管脚之前的PCB文件对比，生产交换管脚对比的表格给客户确认和修改原理图文件。荆州专业PCB设计加工PCB设计工艺的规则和技巧。

结构绘制结构绘制子流程如下：绘制单板板框→绘制结构特殊区域及拼板→放置固定结构件。1.1.1绘制单板板框（1）将结构图直接导入PCB文件且测量尺寸，确认结构图形中结构尺寸单位为mm，显示比例为1：1等大。（2）设计文件中，单位为mm，则精度为小数点后4位；单位为Mil，则精度为小数点后2位，两种单位之间转换至多一次，特殊要求记录到《项目设计沟通记录》中。（3）导入结构图形并命名。（4）导入的结构图形层命名方式为DXF_日期+版本，举例：DXF_1031A1，线宽为0Mil。（5）结构图形导入后应在EDA设计软件视界正中，若偏移在一角，应整体移动结构图形，使之位于正中。（6）根据结构图形，绘制外形板框，板框与结构文件完全一致且重合，并体现在EDA设计软件显示层。（7）确定坐标原点，坐标原点默认为单板左边与下边延长线的交点，坐标原点有特殊要求的记录到《项目设计沟通记录》中。（8）对板边的直角进行倒角处理，倒角形状、大小依据结构图绘制，如无特殊要求，默认倒圆角半径为1.5mm，工艺边外沿默认倒圆角，半径为1.5mm并记录到《项目设计沟通记录》邮件通知客户确认。（9）板框绘制完毕，赋予其不可移动，不可编辑属性。

ADC/DAC电路：（2）模拟地与数字地处理：大多数ADC、DAC往往依据数据手册和提供的参考设计进行地分割处理，通常情况是将PCB地层分为模拟地AGND和数字地DGND，然后将二者单点连接，（3）模拟电源和数字电源当电源入口只有统一的数字地和数字电源时，在电源入口处通过将数字地加磁珠或电感，将数字地拆分成成模拟地；同样在电源入口处将数字电源通过磁珠或电感拆分成模拟电源。负载端所有的数字电源都通过入口处数字电源生成、模拟电源都通过经过磁珠或电感隔离后的模拟电源生成。如果在电源入口处（外部提供的电源）既有模拟地又有数字地、既有模拟电源又有数字电源，板子上所有的数字电源都用入口处的数字电源生成、模拟电源都用入口处的模拟电源生成。ADC和DAC器件的模拟电源一般采用LDO进行供电，因为其电流小、纹波小，而DC/DC会引入较大开关电源噪声，严重影响ADC/DAC器件性能，因此，模拟电路应该采用LDO进行供电。PCB布局布线设计规则。

布线优化布线优化的步骤：连通性检查→DRC检查→STUB残端走线及过孔检查→跨分割走线检查→走线串扰检查→残铜率检查→走线角度检查。（1）连通性检查：整板连通性为100%，未连接网络需确认并记录《项目设计沟通记录》中。（2）整板DRC检查：对整板DRC进行检查、修改、确认、记录。（3）Stub残端走线及过孔检查：整板检查Stub残端走线及孤立过孔并删除。（4）跨分割区域检查：检查所有分隔带区域，并对在分隔带上的阻抗线进行调整。（5）走线串扰检查：所有相邻层走线检查并调整。（6）残铜率检查：对称层需检查残铜率是否对称并进行调整。（7）走线角度检查：整板检查直角、锐角走线。晶体电路布局布线要求有哪些？黄石高速PCB设计销售电话

射频、中频电路的基本概念是什么？咸宁高速PCB设计价格大全

DDR2模块相对于DDR内存技术（有时称为DDRI），DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDRII则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力；DDR采用了支持2.5V电压的SSTL-2电平标准，而DDRII采用了支持1.8V电压的SSTL-18电平标准；DDR采用的是TSOP封装，而DDRII采用的是FBGA封装，相对于DDR，DDRII不仅获得的更高的速度和更高的带宽，而且在低功耗、低发热量及电器稳定性方面有着更好的表现。DDRII内存技术比较大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDRII可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。咸宁高速PCB设计价格大全

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