荆州PCB设计

 DDR模块，DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM，中文名为“双倍数据率SDRAM”，是在SDRAM的基础上改进而来，人们习惯称为DDR，DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的数据传输速率，它允许在时钟的上升沿和下降沿读取数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。（1）DDRSDRAM管脚功能说明：图6-1-5-1为512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封装图和各引脚及功能简述1、CK/CK#是DDR的全局时钟，DDR的所有命令信号，地址信号都是以CK/CK#为时序参考的。2、CKE为时钟使能信号，与SDRAM不同的是，在进行读写操作时CKE要保持为高电平，当CKE由高电平变为低电平时，器件进入断电模式（所有BANK都没有时）或自刷新模式（部分BANK时），当CKE由低电平变为高电平时，器件从断电模式或自刷新模式中退出。3、CS#为片选信号，低电平有效。当CS#为高时器件内部的命令解码将不工作。同时，CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号，低电平有效。这三个信号与CS#一起组成了DDR的命令信号。如何解决PCB设计中电源电路放置问题？荆州PCB设计

ICT测试点添加ICT测试点添加注意事项：（1）测试点焊盘≥32mil；（2）测试点距离板边缘≥3mm；（3）相邻测试点的中心间距≥60Mil。（4）测试点边缘距离非Chip器件本体边缘≥20mil，Chip器件焊盘边缘≥10mil，其它导体边缘≥12mil。（5）整板必须有3个孔径≥2mm的非金属化定位孔，且在板子的对角线上非对称放置。（6）优先在焊接面添加ICT测试点，正面添加ICT测试点需经客户确认。（7）电源、地网络添加ICT测试点至少3个以上且均匀放置。（8）优先采用表贴焊盘测试点，其次采用通孔测试点，禁止直接将器件通孔管脚作为测试点使用。（9）优先在信号线上直接添加测试点或者用扇出的过孔作为测试点，采用Stub方式添加ICT测试点时，Stub走线长不超过150Mil。（10）2.5Ghz以上的高速信号网络禁止添加测试点。（11）测试点禁止在器件、散热片、加固件、拉手条、接插件、压接件、条形码、标签等正下方，以防止被器件或物件覆盖。（12）差分信号增加测试点，必须对称添加，即同时在差分线对的两个网络的同一个地方对称加测试点武汉了解PCB设计布局PCB设计中关键信号布线方法。

布线优化布线优化的步骤：连通性检查→DRC检查→STUB残端走线及过孔检查→跨分割走线检查→走线串扰检查→残铜率检查→走线角度检查。（1）连通性检查：整板连通性为100%，未连接网络需确认并记录《项目设计沟通记录》中。（2）整板DRC检查：对整板DRC进行检查、修改、确认、记录。（3）Stub残端走线及过孔检查：整板检查Stub残端走线及孤立过孔并删除。（4）跨分割区域检查：检查所有分隔带区域，并对在分隔带上的阻抗线进行调整。（5）走线串扰检查：所有相邻层走线检查并调整。（6）残铜率检查：对称层需检查残铜率是否对称并进行调整。（7）走线角度检查：整板检查直角、锐角走线。

布局整体思路（1）整板器件布局整齐、紧凑;满足“信号流向顺畅，布线短”的原则；（2）不同类型的电路模块分开摆放，相对、互不干扰；（3）相同模块采用复制的方式相同布局；（4）预留器件扇出、通流能力、走线通道所需空间；（5）器件间距满足《PCBLayout工艺参数》的参数要求；（6）当密集摆放时，小距离需大于《PCBLayout工艺参数》中的小器件间距要求；当与客户的要求时，以客户为准，并记录到《项目设计沟通记录》。（7）器件摆放完成后，逐条核实《PCBLayout业务资料及要求》中的布局要求，以确保布局满足客户要求。PCB布局设计中布线的设计技巧。

DDR的PCB布局、布线要求4、对于DDR的地址及控制信号，如果挂两片DDR颗粒时拓扑建议采用对称的Y型结构，分支端靠近信号的接收端，串联电阻靠近驱动端放置（5mm以内），并联电阻靠近接收端放置（5mm以内），布局布线要保证所有地址、控制信号拓扑结构的一致性及长度上的匹配。地址、控制、时钟线（远端分支结构）的等长范围为≤200Mil。5、对于地址、控制信号的参考差分时钟信号CK\CK#的拓扑结构，布局时串联电阻靠近驱动端放置，并联电阻靠近接收端放置，布线时要考虑差分线对内的平行布线及等长(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供电电源是2.5V，对于控制芯片及DDR芯片，为每个IO2.5V电源管脚配备退耦电容并靠近管脚放置，在允许的情况下多扇出几个孔，同时芯片配备大的储能大电容；对于1.25VVTT电源，该电源的质量要求非常高，不允许出现较大纹波，1.25V电源输出要经过充分的滤波，整个1.25V的电源通道要保持低阻抗特性，每个上拉至VTT电源的端接电阻为其配备退耦电容。时钟驱动器的布局布线要求。恩施什么是PCB设计规范

ADC和DAC前端电路布线规则。荆州PCB设计

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。荆州PCB设计

武汉京晓科技有限公司是一家有着先进的发展理念，先进的管理经验，在发展过程中不断完善自己，要求自己，不断创新，时刻准备着迎接更多挑战的活力公司，在湖北省等地区的电工电气中汇聚了大量的人脉以及**，在业界也收获了很多良好的评价，这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果，这些评价对我们而言是比较好的前进动力，也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神，努力把公司发展战略推向一个新高度，在全体员工共同努力之下，全力拼搏将共同武汉京晓科技供应和您一起携手走向更好的未来，创造更有价值的产品，我们将以更好的状态，更认真的态度，更饱满的精力去创造，去拼搏，去努力，让我们一起更好更快的成长！