可控硅调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
可控硅调压模块企业商机

可控硅可控硅简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。IGBTIGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。晶闸管等元件通过整流来实现。我公司将以优良的产品,周到的服务与尊敬的用户携手并进!枣庄交流可控硅调压模块配件

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但无法使其关断。要使导通的晶闸管恢复阻断,可降低阳极电压,或增大负载电阻,使流过晶闸管的阳极电流减小至维持电流(IH)(当门极断开时,晶闸管从较大的通态电流降至刚好能保持晶闸管导通所需的小阳极电流叫维持电流),电流会突然降到零,之后再提高电压或减小负载电阻,电流不会再增大,说明晶闸管已恢复阻断。根据晶闸管阳极伏安特性,可以总结出:1.门极断开时。晶闸管的正向漏电流比一般硅二极管反向漏电流大,且随着管子正向阳极电压升高而增大。当阳极电压升到足够大时,会使晶闸管导通,称为正向转折或“硬开通”。多次硬开通会损坏管子。2.晶闸管加上正向阳极电压后,还必须加上触发电压,并产生足够的触发电流,才能使晶闸管从阻断转为导通。触发电流不够时,管子不会导通,但此时正向漏电流随着增大而增大。晶闸管只能稳定工作在关断和导通两个状态,没有中间状态,具有双稳开关特性。是一种理想的无触点功率开关元件。3.晶闸管一旦触发导通,门极完全失去控制作用。要关断晶闸管,必须使阳极电流《维持电流,对于电阻负载,只要使管子阳极电压降为零即可。为了保证晶闸管可靠迅速关断,通常在管子阳极电压互降为零后,加上一定时间的反向电压。莱芜整流可控硅调压模块报价淄博正高电气优良的研发与生产团队,专业的技术支撑。

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双向可控硅是一种功率半导体器件,也称双向晶闸管,在单片机控制系统中,可作为功率驱动器件,由于双向可控硅没有反向耐压问题,控制电路简单,因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器,且连接在强电网络中,其触发电路的抗干扰问题很重要,通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰,交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。(过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通,由于采用过零触发,因此需要正弦交流电过零检测电路)双向可控硅分为三象限、四象限可控硅,四象限可控硅其导通条件如下图:总的来说导通的条件就是:G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通,这个电压可以是正、负,和T1、T2之间的电流方向也没有关系。因为双向可控硅可以双向导通,所以没有正极负极,但是有T1、T2之分双向可控硅触发电路的设计方案双向可控硅是一种功率半导体器件,也称双向晶闸管,在单片机控制系统中,可作为功率驱动器件,由于双向可控硅没有反向耐压问题,控制电路简单,因此特别适合做交流无触点开关使用。

为何要晶闸管模块两端并联阻容网络?它的作用是什么呢?晶闸管模块在电路中具有不可或缺的作用,您也许听过晶闸管模块的作用、优势、应用范围等等,您听过晶闸管模块两端并联阻容网络的作用是什么吗?接下来正高电气就来为您介绍为何要晶闸管模块两端并联阻容网络?它的作用是什么呢?在实际晶闸管模块电路中,常在其两端并联rc串联网络,该网络常称为rc阻容吸收电路。我们知道,晶闸管模块有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管模块在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管模块从断态转入通态的较低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管模块的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管模块的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管模块可以看作是由三个pn结组成。在晶闸管模块处于阻断状态下,因各层相距很近,其j2结结面相当于一个电容c0。当晶闸管阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容c0,并通过j3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管模块在关断时,阳极电压上升速度太快,则c0的充电电流越大。就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管误导通现象,即常说的硬开通。淄博正高电气公司可靠的质量保证体系和经营管理体系,使产品质量日趋稳定。

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可控硅模块属于一种使用模块封装形式,拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,这种可控硅模块的体积非常的小,结构也十分的紧凑,对于维修与安装都有很大的作用,可控硅模块的类型非常的多,比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等,很多人不是很清楚两者之间的差异,下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲,焊接式模块可以做到160A电流,同时压接式模块的电流就能够达到1200A,这就是讲低于160A的模块,不只是有焊接式的,同时也有压接式的。②从外形方面来讲,焊接式的模块远远没有压接式的外形比较好,压接式的属于一体成型,技术十分的标准,焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹,但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知,压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的,有不少的公司都会使用压接式可控硅模块,这其中的原因可能使由于其外形十分的美观,除此之外从价格方面来讲,焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。淄博正高电气生产的产品受到用户的一致称赞。新疆可控硅调压模块分类

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