中温气氛箱式炉主要用于磷酸铁锂正极材料等类似产品的高温烧结、热处理,下面为大家介绍一下中温气氛箱式炉的系统配置。一、热工系统1.额定温度800℃2.较高温度850℃3.加热元件陶瓷外丝加热管4.加热功率18kw5.空炉保温功率约9kw6.温区个数1个7.控温点数2点8.热偶K分度9.控温稳定度1℃(...
下面为大家介绍一下全自动HMDS真空烤箱的技术指标。1.机外壳采用冷扎钢板喷塑处理,内胆为不锈钢316L材料制成;加热器均匀分布在内胆外壁四周,内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2.箱门闭合松紧能调节,整体成型的硅橡胶门封圈,确保箱内高真空度。3.微电脑智能控温仪,具有设定,测定温度双数字显示和PID自整定功能,控温精确,可靠。4.智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序,温度,真空度及每一程序时间。5.HMDS气体密闭式自动吸取添加设计,真空箱密封性能佳,确保HMDS气体无外漏顾虑。整个系统采用优良材料制造,无发尘材料,适用100级光刻间净化环境。气氛炉的发展前景如何呢?无锡气氛炉报价
冷热冲击试验箱具有模拟大气环境中温度变化规律。主要针对于电工,电子产品,以及其元器件及其它材料在高温,低温综合环境下运输,使用时的适应性试验。用于产品设计,改进,鉴定及检验等环节。真萍科技作为冷热冲击试验箱设备制造厂商,在冷热冲击试验箱设备制造领域的专业性是不用多说的。下面让真萍科技从温度方面,带您了解冷热冲击试验箱。一、温度均匀度旧标准称均匀度,新标准称梯度。温度稳定后,在任意时间间隔内,工作空间内任意两点的温度平均值之差的较大值。这个指标比下面的温度偏差指标更可以考核产品的**技术,因此好多公司的样本及方案刻意隐藏此项。一般标准要求指标为≤2℃。二、温度偏差温度稳定后,在任意时间间隔内,工作空间中心温度的平均值和工作空间内其它点的温度平均值之差。虽然新旧标准对此指标的定义和称呼相同,但检测已有所改变,新标准更实际,更苛刻一点,但考核时间短点。一般标准要求指标为2℃,纯高温试验箱200℃以上可按实际使用温度摄氏度(℃)2%要求。芜湖哪里有气氛炉合肥真萍科技为您提供专业的售后服务!
中温气氛箱式炉主要用于磷酸铁锂正极材料等类似产品的高温烧结、热处理,下面为大家介绍一下中温气氛箱式炉的系统配置。一、热工系统1.额定温度800℃2.较高温度850℃3.加热元件陶瓷外丝加热管4.加热功率18kw5.空炉保温功率约9kw6.温区个数1个7.控温点数2点8.热偶K分度9.控温稳定度1℃(恒温平台)10.炉膛温度均匀度6℃(恒温800℃,1h)二、冷却系统1.冷却结构无2.产品降温随炉降温3.安全保护4.报警指示超温、断偶、停水、停气等声光报警保护5.设备安全升温速率≤5℃/min
中温气氛箱式炉主要用于磷酸铁锂正极材料等类似产品的高温烧结、热处理,下面为大家介绍一下中温气氛箱式炉的系统配置。一、热工系统1.额定温度800℃2.较高温度850℃3.加热元件陶瓷外丝加热管4.加热功率18kw5.空炉保温功率约9kw6.温区个数1个7.控温点数2点8.热偶K分度9.控温稳定度1℃(恒温平台)10.炉膛温度均匀度6℃(恒温800℃,1h)二、气氛系统1.炉膛气氛2路氮气,流量计量程为2~20L/min;每路流量可调节2.排气系统在炉膛顶部设置一个排气囱,用于废气排放,废气3.经过水封清洗后进入大气中,减少对环境污染4.氧含量配氧含量分析仪分析氧含量:5.高温状态氧含量≤10ppm+气源氧含量6.低温状态氧含量≤50ppm+气源氧含量气氛炉的运用领域有哪些?
超高真空烘箱广泛应用于航空、航天、电子、通讯等科研及生产单位。确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备等在低气压、高温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验。下面为大家介绍一下超高真空烘箱的主要技术指标。1.工作室温度范围:常温~+300℃用户使用温度260℃2.温度波动度:±1.0℃(空载);3.温度偏差:常压温度试验:常温~200℃时±2℃200~300℃时±5.0℃低气压高温综合试验:≤100℃时±2.0℃,100℃~200℃时±5.0℃200℃~300℃时±7.0℃气氛炉的运作原理是什么?嘉兴气氛炉市场价格
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本篇介绍专业全自动HMDS真空烤箱,首先简单介绍一下HMDS预处理系统的必要性:在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后,经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。无锡气氛炉报价
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