晶闸管调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
晶闸管调压模块企业商机

输出电流要求:标称电流小于500安培产品:I+12V>,标称电流大于500安培产品:I+12V>1A。控制信号:0~10V或4~20mA控制信号,用于对输出电压大小进行调整的控制信号,正极接CON10V或CON20mA,负极接GND1。供电电源和负载:供电电源一般为电网电源,电压460V以下的或者供电变压器,接模块的输入端子;负载为用电器,接模块的输出端子。导通角与模块输出电流的关系:山东可控硅模块的导通角与模块能输出的器强大电流有直接关系,模块的标称电流是强大导通角时能输出的强大电流。在小导通角(输出电压与输入电压比值很小)下输出的电流峰值很大,但电流的有效值很小(直流仪表一般显示平均值,交流仪表显示非正弦电流时比实际值小),但是输出电流的有效值很大,半导体器件的发热与有效值的平方成正比,会使模块严重发热甚至烧毁。因此,山东可控硅模块应选择在强大导通角的65%以上工作,及控制电压应在5V以上。山东可控硅模块规格的选取方法:考虑到可控硅产品一般都是非正弦电流,存在导通角的问题并且负载电流有一定的波动性和不稳定因素,且可控硅芯片抗电流冲击能力较差,在选取模块电流规格时必须留出一定余量。淄博正高电气公司可靠的质量保证体系和经营管理体系,使产品质量日趋稳定。广东双向晶闸管调压模块型号

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整机装置是否工作可靠与正确选择可控硅智能调压模块的额定电压、额定电流等参数有很大关系,选型的原则是考虑工作可靠性,即电流、电压必须留有足够余量。一般加热炉额定电压为380V,选择工作电压为460V的晶闸管智能模块,其他电压的可控硅智能调压模块需要订做。对可控硅智能调压模块电流的选择,必须考虑加热炉炉丝(或加热件)的额定工作电流及可控硅智能调压模块的输出电压值,如果加热丝为NTC或PTC特性的(即加热丝额定电流随温度变化,开机时温度很低,额定电流会很大或加热到较高温度时,额定电流会很大或加热到较高温度时,额定电流会很大),必须考虑加热丝整个工作状态的电流值,作为加热丝的额定电流值来确定可控硅智能调压模块的规格大小。河南单相晶闸管调压模块型号淄博正高电气与广大客户携手并进,共创辉煌!

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软启动器可控硅降温的重要性软启动器中可控硅模块是比较重要的一环,所以保护好可控硅模块能够的延长软启动器的使用寿命。可控硅模块与其它功率器件一样,工作时由于自身功耗而发热。如果不采取适当措施将这种热量散发出去,就会引起模块管芯PN结温度急剧上升。致使器件特性恶化,直至完全损坏。晶闸管的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成。在工频或400Hz以下频率的应用中主要的是导通损耗。散热器的常用散热方式有:自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。正常工作情况的软启动器设备有,主要以热量的形式散失在环境当中,所以我们要先解决软启动器工作环境的温度问题,若工作环境的温度过高则将危害到软启动器的工作,导致软启动器过热保护跳闸。保证软起动器具有良好的运行环境,须对变频器及运行环境的温度控制采取相应的措施。给软启动器预留一定的空间,定期给软启动器进行清灰处理,都是能够有效降低可控硅温度的方式。

可控硅模块的发展历史比较悠久,发展到现代它的特点有很多,可应用的范围也非常广,对于可控硅模块这个设备,您了解多少?下面可控硅模块厂家正高为您介绍解说。可控硅模块是有PNPN四层半导体构成的元件,有三个电极,阳极a,阴极K和控制机G所构成的。1、可控硅模块的应用领域模块应用详细说明介绍:可控硅模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合,如工业、通讯、所用等各类电气控制、电源等,根据还可通过可控硅模块的控制端口与多功能控制板连接,实现稳流、稳压、软启动等功能,并可实现过流、过压、过温、缺相等保护功能。2、可控硅模块的控制方式:通过输入可控硅模块控制接口一个可调的电压或者电流信号,通过调整该信号的大小即可对可控硅模块的输出电压大小进行平滑调节,实现可控硅模块输出电压从0V至任一点或全部导通的过程。电压或电流信号可取自各种控制仪表、计算机D/A输出,电位器直接从直流电源分压等各种方法;控制信号采用0~5V,0~10V,4~20mA三种比较常用的控制形式。3、满足可控硅模块工作的必要条件:(1)+12V直流电源:可控硅模块内部控制电路的工作电源。淄博正高电气愿与各界朋友携手共进,共创未来!

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一般情况下阴极表面或芯片边缘有一烧损的小黑点说明是由于电压引起的,由电压引起烧坏晶闸管模块的原因有两中可能,一是晶闸管模块电压失效,就是我们常说的降伏,电压失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是线路问题,线路中产生了过电压,且对晶闸管模块所采取的保护措施失效。电流烧坏晶闸管模块通常是阴极表面有较大的烧损痕迹,甚至将芯片、管壳等金属大面积溶化。由di/dt所引起的烧坏晶闸管模块的现象较容易判断,一般部是门极或放大门极附近烧成一小黑点。我们知道晶闸管模块的等效电路是由两只可控硅构成,门极所对应的可控硅做触发用,目的是当触发信号到来时将其放大,然后尽快的将主可控硅导通,然而在短时间内如果电流过大,主可控硅还没有完全导通,大的电流主要通过相当于门极的可控硅流过,而此可控硅的承载电流的能力是很小的,所以造成此可控硅烧坏,表面看就是门极或放大门极附近烧成一小黑点。至于dv/dt其本身是不会烧坏晶闸管模块的,只是高的dv/dt会使晶闸管模块误触发导通,其表面现象跟电流烧坏的现象差不多。淄博正高电气永远是您身边的行业**!江西进口晶闸管调压模块报价

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随着电气行业的不断发展,可控硅模块在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,并且不像继电器那样控制时有火花产生,而且动作快、寿命长、可靠性好。可控硅模块又分为单向可控硅模块和双向可控硅模块,它们有什么区别呢,下面可控硅模块厂家为你讲解。可控硅模块分为单向的和双向的,符号也不同。单向可控硅有三个pn结,由外层的p极和n极引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由中间的p极引出一个控制极。然而单项的可控硅模块具有其独特的特性:当阳极接反向电压,或者阳极接正向电压但控制极不加电压时,它都不导通,而阳极和控制极同时接正向电压时,它就会变成导通状态。一旦导通,控制电压便失去了对它的控制作用,不论有没有控制电压,也不论控制电压的极性如何,将一直处于导通状态。要想关断,只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。双向的可控硅模块的引脚多数是按t1、t2、g的顺序从左至右排列(电极引脚向下,面对有字符的一面时)。加在控制极g上的触发脉冲的大小或时间改变时,就能改变其导通电流的大小。与单向的区别是,它的g极上触发脉冲的极性改变时。广东双向晶闸管调压模块型号

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