具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。 EVG®770可用于连续重复的纳米压印光刻技术，可进行有效的母版制作。上海台积电纳米压印
EVG ® 510 HE是EVG500系列的热压印系统
EV Group的一系列高精度热压印系统基于该公司市场**的晶圆键合技术。出色的压力和温度控制以及大面积的均匀性可实现高精度的压印。热压印是一种经济高
效且灵活的制造技术，对于尺寸低至50 nm的特征，其复制精度非常高。该系统非常适合将复杂的微结构和纳米结构以及高纵横比的特征压印到各种聚合物基材或旋涂聚合物中。压模与基板对准的组合可将热压纹与预处理的基板结构对准。这个系列包含的型号有：EVG®510HE，EVG®520HE。 氮化镓纳米压印报价SmartNIL集成多次使用的软标记处理功能，并具有显着的拥有成本的优势，同时保留可扩展性和易于维护的特点。
EVG ® 720自动SmartNIL
® UV纳米压印光刻系统
自动全视野的UV纳米压印溶液达150毫米，设有EVG's专有SmartNIL ®技术
EVG720系统利用EVG的创新SmartNIL技术和材料专业知识，能够大规模制造微米和纳米级结构。具有SmartNIL技术的EVG720系统能够在大面积上印刷小至40 nm *的纳米结构，具有****的吞吐量，非常适合批量生产下一代微流控和光子器件，例如衍射光学元件（ DOEs）。
*分辨率取决于过程和模板
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IQ Aligner UV-NIL 自动化紫外线纳米压印光刻系统
应用：用于晶圆级透镜成型和堆叠的高精度UV压印系统
IQ Aligner UV-NIL系统允许使用直径从150 mm至300 mm的压模和晶片进行微成型和纳米压印工艺，非常适合高度平行地制造聚合物微透镜。该系统从从晶圆尺寸的主图章复制的软性图章开始，提供了混合和整体式微透镜成型工艺，可以轻松地将其与工作图章和微透镜材料的各种材料组合相适应。此外，EV Group提供合格的微透镜成型工艺，包括所有相关的材料专业知识。EV Group专有的卡盘设计可为高产量大面积印刷提供均匀的接触力。配置包括从压印基材上释放印章的释放机制。
EVG ® 6200 NT是SmartNIL UV紫外光纳米压印光刻系统。
NIL已被证明是在大面积上实现纳米级图案的相当有成本效益的方法，因为它不受光学光刻所需的复杂光学器件的限制，并且它可以为极小尺寸（小于100分）提供比较好图案保真度nm）结构。
EVG的SmartNIL是基于紫外线曝光的全场压印技术，可提供功能强大的下一代光刻技术，几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。由于SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能，因此还可以实现****的吞吐量，并具有显着的拥有成本优势，同时保留了可扩展性和易于维护的操作。另外，主模板的寿命延长到与用于光刻的掩模相当的时间。
新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。 EVG高达300 mm的高精度聚合物透镜成型和堆叠设备支持晶圆级光学（WLO）的制造。上海台积电纳米压印
分步重复刻印通常用于高 效地制造晶圆级光学器件制造或EVG的Smart NIL工艺所需的母版。上海台积电纳米压印
IQ Aligner UV-NIL特征：
用于光学元件的微成型应用
用于全场纳米压印应用
三个**控制的Z轴，可在印模和基材之间实现出色的楔形补偿
三个**控制的Z轴，用于压印抗蚀剂的总厚度变化（TTV）控制
利用柔软的印章进行柔软的UV-NIL工艺
EVG专有的全自动浮雕功能
抵抗分配站集成
粘合对准和紫外线粘合功能
IQ Aligner UV-NIL技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：150至300毫米
解析度：≤50 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：柔软的UV-NIL，镜片成型
曝光源：汞光源
对准：≤±0.5微米
自动分离：支持的
前处理：涂层：水坑点胶（可选）
迷你环境和气候控制：可选的
工作印章制作：支持的
上海台积电纳米压印
