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膜厚仪基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • Frontier Semiconductor (FSM)
  • 型号
  • FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM
  • 是否定制
膜厚仪企业商机

F54包含的内容:

集成光谱仪/光源装置

MA-Cmount 安装转接器 

显微镜转接器光纤连接线BK7 

参考材料TS-Focus-SiO2-4-10000 

厚度标准 聚焦/厚度标准4", 6" and 200mm 

参考晶圆真空泵备用灯

型号厚度范围*波长范围

F54:20nm-40µm 380-850nm

F54-UV:4nm-30µm 190-1100nm

F54-NIR:40nm-100µm 950-1700nm

F54-EXR:20nm-100µm 380-1700nm

F54-UVX:4nm-100µm190-1700nm

*取决于材料与显微镜

额外的好处:每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一 - 周五)网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 F20测厚范围:15nm - 70µm;波长:380-1050nm。授权膜厚仪科研应用

授权膜厚仪科研应用,膜厚仪

测量有机发光显示器有机发光显示器 (OLEDs)有机发光显示器正迅速从实验室转向大规模生产。明亮,超薄,动态的特性使它们成为从手机到电视显示屏的优先。组成显示屏的多层薄膜的精密测量非常重要,但不能用传统接触型的轮廓仪,因为它会破坏显示屏表面。我们的F20-UV,F40-UV,和F10-RT-UV将提供廉价,可靠,非侵入测量原型装置和全像素化显示屏。我们的光谱仪还可以测量大气敏感材料的化学变化。

测量透明导电氧化膜不论是铟锡氧化物,氧化锌,还是聚合物(3,4-乙烯基),我们独有的ITO光学模型,加上可见/近红外仪器,可以测得厚度和光学常数,费用和操作难度*是光谱椭偏仪的一小部分。 玻璃膜厚仪实验室应用F20-EXR测厚范围:15nm - 250µm;波长:380-1700nm。

授权膜厚仪科研应用,膜厚仪

FSM 413SP

AND FSM 413C2C 红外干涉测量设备

适用于所有可让红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………


应用:

   衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)

   平整度

   厚度变化 (TTV)

   沟槽深度

   过孔尺寸、深度、侧壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

不同半导体材料的厚度

   环氧树脂厚度

   衬底翘曲度

   晶圆凸点高度(bump height)

MEMS 薄膜测量

TSV 深度、侧壁角度...

FSM413SP半自动机台人工取放芯片

Wafer 厚度3D图形

FSM413C2C Fully

automatic 全自动机台人工取放芯片

可适配Cassette、SMIF POD、FOUP.

F50 系列

包含的内容:集成光谱仪/光源装置光纤电缆4", 6" and 200mm 参考晶圆TS-SiO2-4-7200 厚度标准BK7 参考材料整平滤波器 (用于高反射基板)真空泵备用灯

型号 厚度范围*波长范围

F50:20nm-70µm 380-1050nm

F50-UV:5nm-40µm 190-1100nm

F50-NIR:100nm-250µm 950-1700nm

F50-EXR:20nm-250µm 380-1700nm

F50-UVX:5nm-250µm 190-1700nm

F50-XT:0.2µm-450µm 1440-1690nm

F50-s980:4µm-1mm 960-1000nm

F50-s1310:7µm-2mm 1280-1340nm

F50-s1550:10µm-3mm 1520-1580nm

额外的好处:每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一 - 周五)网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 采用Michaelson干涉方法,红外波段的激光能更好的穿透被测物体,准确得到测试结果。

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集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。

故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。

测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 只需按下一个按钮,您在不到一秒钟的同时测量厚度和折射率。ITO膜厚仪联系电话

F3-s980 是波长为980奈米的版本,是为了针对成本敏锐的应用而设计。授权膜厚仪科研应用

FSM 8018 VITE测试系列设备

VITE技术介绍:

VITE是傅里叶频域技术,利用近红外光源的相位剪切技术(Phase shear technology)

设备介绍

适用于所有可让近红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

应用:

   衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)

   平整度

   厚度变化 (TTV)

   沟槽深度

   过孔尺寸、深度、侧壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

不同半导体材料的厚度

   环氧树脂厚度

   衬底翘曲度

   晶圆凸点高度(bump height)

MEMS 薄膜测量

TSV 深度、侧壁角度...


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岱美仪器技术服务(上海)有限公司致力于仪器仪表,以科技创新实现***管理的追求。岱美中国深耕行业多年,始终以客户的需求为向导,为客户提供***的[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]。公司终坚持自主研发创新发展理念,不断优化的技术、产品为客户带来效益,目前年营业额达到100-200万元。岱美中国始终关注自身,在风云变化的时代,我们对自身的建设毫不懈怠,高度的专注与执着使我们在行业的从容而自信。

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